磁流變
新型MR附件能夠在可控場的影響下,對磁流變流體進行全面表徵。施加的場強最高達1 T,並且樣品溫度範圍為從-10℃到170℃,這使MR附件非常適用於各種MR流體和磁流體研究。MR附件可通過位於樣品下方的整合電磁線圈施加可控場。這種線圈與上方的偏轉線圈協同運作,產生對板表面而言正常的均勻磁場。該系統包含可適應選配Hall探頭的通道,這可實現對樣品場的即時測量和閉環控制。
特色和優點
- 可實現實現快速安裝的Smart SwapTM技術
- 全面的磁場曲線控制,包括:恒定、階變、恒變、正弦波、三角波和帶有場補償的波函數
- 已獲專利的力平衡感應器(FRT)可最大程度減少軸向柔量
精確、穩定的溫度控制
通過精確的液體溫度控制,實現樣品溫度控制和磁線圈穩定。上方偏轉線圈可導熱,確保在整個樣品厚度上受熱均勻。無論何種情況,探頭均可在板表面下方直接監測樣品溫度,並將其記錄在資料檔案中。通過流體循環器的閉環控制實現樣品的精確溫度控制,消除溫度的漂移和偏距。
應用
MR流體結構形成
MR流體結構形成
- 動態性質表明,隨著磁場的增強,結構形成
- 施加電場前的早期時間曲線指示正在形成與場無關的結構
- 增加磁場強度會導致結構成型和糊化
MR流體黏度回應
MR流體黏度回應
- 黏度表明對磁場中的階躍變化有明顯回應
- 黏度隨著磁場的增強呈非線性增加
- 對磁場階躍變化的暫態回應
- 大磁場會導致與場和剪下施加時間有關的結構形成